Создана сверхпрочная замена флеш-памяти

В ближайшем будущем может начаться производство новейшего стандарта памяти UltraRAM, опережающего привычную всем флеш-память как по надежности и долговечности, так и по скорости работы. CNews со ссылкой на портал Liliputing пишет, что ее создатели основали отдельный стартап Quinas Technology и в настоящее время ведут переговоры с производителями микросхем, а это означает, кто коммерциализация данной технологии не за горами.

UltraRAM – это разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания). Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе информацию до 1000 лет, уверяют ее создатели. При этом UltraRAM еще и быстрее среднестатистического SSD-накопителя, а их скорости даже в бюджетных моделях в последнее время все чаще переваливают за 1 ГБ/с. Изобретатели UltraRAM уверяют, что она способна развивать скорость работы на уровне памяти динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM) и даже выше, потребляя при этом меньше энергии.

Премьера UltraRAM состоялась в начале 2020 г. Приблизительно за три с половиной года с того момента разработчики вплотную приблизились к важной вехе – к коммерциализации своего изобретения. Не исключено, что приблизить дату появления накопителей на данном типе памяти сможет событие, произошедшее UltraRAM в августе 2023 г.

UltraRAM – это, как и NAND (флеш-память), новый вид полупроводниковой памяти. Для сохранения внутри себя информации она эксплуатирует так называемый «квантовомеханический эффект резонансного туннелирования». За счет него смена состояния ячеек памяти путем пропуска электрона через барьер осуществляется очень быстро и с очень малыми затратами энергии. В качестве полупроводниковых материалов в этой памяти используется арсенид индия и антимонид алюминия – они дают возможность создавать мощный энергетический барьер (около 2,1 эВ), препятствующий потере электронов ячейками памяти. Это и обеспечивает UltraRAM энергонезависимость.

Мировой дебют UltraRAM прошел в последних числах января 2020 г. Разработчики опубликовали посвященную ей статью в научном журнале IEEE Transactions on Electron Devices, раскрыв лишь некоторые подробности о ней. Например, в этой статье упоминалось, что UltraRAM потребляет в 100 раз меньше энергии в сравнении с классической DRAM.