Контакты
Подписка
МЕНЮ
Контакты
Подписка

Сегмент памяти 3D NAND: уверенный рост до 2025 г.

20.11.20 16:10

Аналитики Yole Développement опубликовали очередной квартальный отчёт о состоянии мирового рынка памяти 3D NAND. Как и ожидалось, на фоне увеличения интереса заказчиков всех уровней к флэш-накопителям, включая решения, предназначенные для all-flash СХД, рынок этот ожидает поступательный рост.

В 2025 г. его долларовый объём должен выйти на отметку 81 млрд, а CAGR на интервале 2019-2025 гг. составит весомые для него 11%. При этом немалая доля этого объёма — 17,5 млрд долл. — в 2025 г. будет приходиться на поставки самого оборудования для изготовления чипов 3D NAND. Доминировать среди поставщиков названного оборудования продолжат компании ASML, Applied Materials, Tokyo Electron и Lam Research с совокупной долей рынка не менее 70%. Это передает Computerworld.

Что же до поставщиков готовых 3D NAND микросхем, то здесь многолетний лидер Samsung продолжит отчаянную битву с догоняющей его WD-Kioxia. В затылок последней по-прежнему будут дышать SK hynix и Micron-Intel. А где-то на горизонте продолжит восходить звезда китайской YMTC, весьма вероятно способной в более отдалённой перспективе претендовать на место как минимум в четвёрке лидеров.

Особенность противостояния поставщиков чипов 3D NAND заключается в том, что все они состязаются здесь, вооружившись технологиями собственной разработки. Литографические машины у всех участников этого рынка де-факто одни и те же (от ASML, Applied Materials и пр.). Однако какое предельное количество слоёв на кремниевой заготовке удаётся изготовить на данной машине, зависит от качества разработанных данным поставщиком процедур травления и осаждения.

Именно поэтому технологический процесс (2нм — первые числа третьего десятка, от 20 до 23 нм; 1нм — последние числа второго десятка, примерно 17-19 нм, 1нм — середина второго десятка, 14-16 нм и т. д.) у различных вендоров внедряются почти одновременно, по мере приобретения соответствующего оборудования у глобальных поставщиков. В то же время разработка достаточно тонких и точных процедур травления и осаждения, необходимых для последовательного формирования на поверхности кремниевой заготовки множества изолированных слоёв (32— 32 слоя, 64— 64 слоя и т. д.) с ячейками будущей NAND-памяти, у разных вендоров занимает разное время.

akc

 

Темы:прогнозыТрендыNAND память

Еще темы...