Samsung анонсировал "первую в мире" память, разработанную по спецификации HBM2E

Samsung Electronics анонсировала начало производства памяти с высокой пропускной способностью стандарта High Bandwith Memory 2 (HBM2), которая получила коммерческое название Flashbolt.

Flashbolt, по заявлению Samsung, стала первым в мире продуктом, разработанным в соответствии со спецификацией HBM2E, что позволило добиться «лучшей в отрасли» скорости передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт, что на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Кроме того, Flashbolt имеет вдвое большую плотность по сравнению с образцами предыдущего поколения – 16 ГБ на кристалл. Поскольку один стек HBM2E содержит восемь кристаллов, его пропускная способность может достигать 410 ГБ/с.

Компания позиционирует Flashbolt как решение для центров обработки данных, искусственного интеллекта/машинного обучения, компьютерной графики и других ресурсозатратных задач. Действительно, конфигурация из четырех стеков с 4096-битным интерфейсом памяти позволит добиться весьма впечатляющих пропускной способности (порядка 1,64 ТБ/с) и емкости в 64 ГБ.

Samsung пока не раскрывает информацию о значении рабочего напряжения Flashbolt и технологию производства кристаллов DRAM. Также неизвестно, на каких графических ускорителях или FPGA будет использоваться новая память.

HBM — это высокопроизводительный интерфейс оперативной памяти, разработку которого при поддержке Hynix в 2008 г. начала AMD. Первыми устройствами, оснащенными этой памятью, стали видеокарты AMD на базе чипов архитектуры Fuji, в частности R9 Fury X, R9 Fury и R9 Nano. Технология HBM схожа с конкурирующей разработкой компании Micron под названием Hybrid Memory Cube.

Благодаря особенностям архитектуры HBM обеспечивает высокую пропускную способность, а также низкий расход энергии при компактных размерах устройства, хотя и отличается высокой стоимостью.

В памяти HBM кристаллы DRAM расположены вертикально на крайне малом расстоянии друг от друга. Располагается эта конструкция непосредственно на чипе GPU или CPU. Средством соединения такой конструкции, напоминающей многослойный торт, с центральным или графическим процессором служит специальная кремниевая подложка или интерпозер. Несколько стеков («стопок») памяти HBM подключаются к ней вместе с процессором, и этот модуль соединяется со схемной платой.

Вторая версия HBM была стандартизирована в начале 2016 г. и чуть позднее Samsung начала производство памяти по данной технологии – новинка получила имя Flarebolt. В начале 2018 г. свет увидел второе поколение восьмигигабайтной HBM2, выпущенной Samsung под брендом Aquabolt. Память обеспечивала в 9,6 раза более высокую производительность по сравнению с тогдашней производительностью DRAM (GDDR5).