Группа компаний «Элемент», крупнейший производитель микроэлектроники в России инвестирует 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на одном из своих предприятий — НИИЭТ в Воронеже, выяснил «Коммерсант».
Плановая проектная мощность нового производства — 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год.
В проекте используется льготное финансирование, привлеченное через механизм кластерной инвестиционной платформы (КИП). Одна из целей КИП, оператором которой является Фонд развития промышленности (ФРП) — предоставление льготных кредитов российским промышленным предприятиям для реализации инвестиционных проектов по производству приоритетной продукции, как заявлено на сайте ФРП.
Реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла, сказал представитель «Элемента».
НИИЭТ — это один из крупнейших в России вендоров электронных компонентов, в списке продукции которого находятся GaN-транзисторы на кремнии — в России их больше никто не выпускает.
Представитель «Элемента» сказал изданию, что именно наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия объясняется выбор НИИЭТ в качестве площадки для размещения кристального производства.
Нитрид галлия благодаря своим свойствам позволяет создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния.