 |
Исследование проводилось учеными новосибирского Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. В основе флэш-памяти физики рассматривают графен - один из самых перспективных материалов как с точки зрения фундаментальной науки, так и прикладной.
Принцип действия флешки нового поколения основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (нескольких слоях графена). Кроме того, необходимыми компонентами флеш-памяти являются туннельный (оксид кремния) и блокирующие (диэлектрик) слои.
Эффективность флеш-памяти обеспечивается за счет величины работы выхода запоминающей среды - энергии, необходимой для выведения электрона из вещества. В частности, у графена этот показатель значительно превышает аналоги. Благодаря этому графен, расположенный между туннельным и блокирующим слоями, представляет собой глубокую потенциальную яму, где инжектированный заряд может долго хранится. Например, во флеш-памяти, основанной на хранении заряда в кремниевых кластерах, применяются более толстые туннельный и блокирующий слои, что неизбежно приводит к уменьшению быстродействия. По словам старшего научного сотрудника ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Юрия Новикова, благодаря мультиграфену быстродействие повышается в 2-3 раза, а также становится возможным использование более низкого напряжения перепрограммирования.
В настоящее время ученые интенсивно исследуют опытные образцы, но для масштабного коммерческого производства флешек на основе мультиграфена потребуется значительные инвестиции. Кроме того, российские физики занимаются исследованием и других материалов для применения их в резистивной памяти.
